Casa. > prodotti > Dispositivi discreti a semiconduttore

Dispositivi discreti a semiconduttore

Immagineparte #DescrizionefabbricanteStoccaggioRFQ
qualità PTFA180701E-V4-R250 fabbrica

PTFA180701E-V4-R250

IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
In magazzino
qualità PDTA114EK,115 fabbrica

PDTA114EK,115

Trans Prebias PNP 250 MW SMT3
In magazzino
qualità BLF6G27-135.112 fabbrica

BLF6G27-135.112

FET LDMOS 65V SOT502A di RF
In magazzino
qualità DRC3114W0L fabbrica

DRC3114W0L

TRANS PREBIAS NPN 100 MW SSSMINI3
In magazzino
qualità MRF6V4300NBR5 fabbrica

MRF6V4300NBR5

FET RF 110V 450MHZ TO-272-4
In magazzino
qualità RN1108, LF(CT fabbrica

RN1108, LF(CT

Trasferimento di energia elettrica
In magazzino
qualità BLP05H6110XRY fabbrica

BLP05H6110XRY

FET LDMOS 135V 27DB SOT1223-2
In magazzino
qualità MMUN2214LT1 fabbrica

MMUN2214LT1

Trans BRT PNP 50V SOT-23
In magazzino
qualità DTC143TU3T106 fabbrica

DTC143TU3T106

DTC143TU3 è un transistor digitale
In magazzino
qualità BLP05H635XRY fabbrica

BLP05H635XRY

FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 di RF
In magazzino
qualità PDTC123ETVL fabbrica

PDTC123ETVL

PDTC123ET/SOT23/TO-236AB
In magazzino
qualità AFT09MS031NR1 fabbrica

AFT09MS031NR1

FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
In magazzino
qualità MAGX-001220-100L00 fabbrica

MAGX-001220-100L00

Transistor GAN 100W da 1,2-2,0 GHz
In magazzino
qualità RN1413 ((TE85L,F) fabbrica

RN1413 ((TE85L,F)

Trans Prebias NPN 50V 0.1A SMINI
In magazzino
qualità L'indice di concentrazione è il seguente: fabbrica

L'indice di concentrazione è il seguente:

Transistor GAN 100W da 2,7 a 3,1 GHz
In magazzino
qualità PDTA114YK,115 fabbrica

PDTA114YK,115

Trans Prebias PNP 250 MW SMT3
In magazzino
qualità PD20010TR-E fabbrica

PD20010TR-E

TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF
In magazzino
qualità DTC114TCA-TP fabbrica

DTC114TCA-TP

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23
In magazzino
qualità DTA143TU3HZGT106 fabbrica

DTA143TU3HZGT106

DTA143TU3HZG è un TRANS digitale
In magazzino
qualità BLA6H0912LS-1000U fabbrica

BLA6H0912LS-1000U

FET RF LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
In magazzino
qualità BLF7G27L-100,118 fabbrica

BLF7G27L-100,118

FET LDMOS 65V 18DB SOT502A di RF
In magazzino
qualità PDTA144ET,235 fabbrica

PDTA144ET,235

Trans Prebias PNP 50V TO236AB
In magazzino
qualità BLF6G10L-260PBM:11 fabbrica

BLF6G10L-260PBM:11

FET RF LDMOS 65V SOT1110A
In magazzino
qualità NTE2419 fabbrica

NTE2419

T-PNP SI CON 47K RES
In magazzino
qualità BLA9H0912LS-250GU fabbrica

BLA9H0912LS-250GU

BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
In magazzino
qualità DTC144TUA-TP fabbrica

DTC144TUA-TP

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
In magazzino
qualità DTC114TU3HZGT106 fabbrica

DTC114TU3HZGT106

DTC114TU3HZG è una trasmissione digitale
In magazzino
qualità MRF173CQ fabbrica

MRF173CQ

FET RF 65V 150MHZ 316-01
In magazzino
qualità BLS9G2735L-50U fabbrica

BLS9G2735L-50U

RF MOSFET SOT1135A
In magazzino
qualità DRA2144V0L fabbrica

DRA2144V0L

TRASPORTO PREBIAS PNP 200MW MINI3
In magazzino
qualità BLP15M9S70GZ fabbrica

BLP15M9S70GZ

BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP
In magazzino
qualità RN1305, LXHF fabbrica

RN1305, LXHF

Auto AEC-Q NPN singolo, R1=2.2KO
In magazzino
qualità MRF8S18120HSR3 fabbrica

MRF8S18120HSR3

FET RF 65V 1,81 GHz NI-780S
In magazzino
qualità ADTA144VCAQ-13 fabbrica

ADTA144VCAQ-13

PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
In magazzino
qualità MRF6VP41KHSR5 fabbrica

MRF6VP41KHSR5

FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S
In magazzino
qualità PDTA114EE,115 fabbrica

PDTA114EE,115

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
In magazzino
qualità MRF6VP2600HR6 fabbrica

MRF6VP2600HR6

FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
In magazzino
qualità DDTA143FE-7-F fabbrica

DDTA143FE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
In magazzino
qualità NE3510M04-A fabbrica

NE3510M04-A

FET RF 4V 4GHZ M04
In magazzino
qualità DDTB142JC-7 fabbrica

DDTB142JC-7

TRANS PREBIAS PNP 200 MW SOT23-3
In magazzino
qualità BLF6G22L-40BN, 118 fabbrica

BLF6G22L-40BN, 118

FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A di RF
In magazzino
qualità DDTC124TCA-7-F fabbrica

DDTC124TCA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
In magazzino
qualità BLP8G05S-200Y fabbrica

BLP8G05S-200Y

FET RF LDMOS 65V 21DB SOT11382
In magazzino
qualità FJY3011R fabbrica

FJY3011R

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
In magazzino
qualità PD55008TR-E fabbrica

PD55008TR-E

Transistor RF POWERSO-10
In magazzino
qualità RN1412, LXHF fabbrica

RN1412, LXHF

Auto AEC-Q NPN Q1BSR=22K, VCEO=5
In magazzino
qualità DTA124EET1G fabbrica

DTA124EET1G

Trans Prebias PNP 50V 100MA SC75
In magazzino
qualità NE3513M04-T2B-A fabbrica

NE3513M04-T2B-A

FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
In magazzino
qualità BCR189L3 E6327 fabbrica

BCR189L3 E6327

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
In magazzino
qualità TAV2-14LN+ fabbrica

TAV2-14LN+

MOSFET RF E-PHEMT 4V
In magazzino
230 231 232 233 234