FF200R12KT3HOSA1
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Descrizione:
Modulo IGBT 1200V 1050W
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - limite del collettore (massimo):
5 mA
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
C
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C
Potenza - Max:
1050 W
Tipo IGBT:
Ferma di campo di trincea
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configurazione:
2 Indipendente
Termistor NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FF200R12
Introduzione
Modulo IGBT Trench Field Stop 2 Modulo indipendente 1200 V 1050 W montato sul telaio
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: