FS100R12KS4BOSA1
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Descrizione:
IGBT MOD 1200V 130A 660W
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
130 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
Confezione / Cassa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Modulo
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C
Corrente - limite del collettore (massimo):
5 mA
Tipo IGBT:
-
Potenza - Max:
660 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
6.8 nF @ 25 V
Configurazione:
Invertitore a tre fasi
Termistor NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
FS100R12
Introduzione
Modulo IGBT Invertitore trifase 1200 V 130 A 660 W Modulo montato sul telaio
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: