F423MR12W1M1B11BOMA1
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Descrizione:
A bassa potenza
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
50 A
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Scaffale
Serie:
EasyPACK™
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
AG-EASY1BM-2
Mfr:
Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max:
20 mW
Tipo IGBT:
Fossa
Confezione / Cassa:
Modulo
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
3,68 N-F @ 800 V
Configurazione:
Ponte pieno
Termistor NTC:
- Sì, sì.
Numero del prodotto di base:
F423MR12
Introduzione
Modulo IGBT Trench Full Bridge 1200 V 50 A 20 mW Montaggio del telaio AG-EASY1BM-2
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: