MUN2213JT1G
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Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 MA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
NPN - Pre-polarizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SC-59
Resistenza - Base (R1):
47 kOhms
Mfr:
ONSEMI
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
338 mW
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
80 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
MON2213
Introduzione
Transistor bipolare pre-biased (BJT) NPN - Pre-biased 50 V 100 mA 338 mW Supporto di superficie SC-59
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: