NE3514S02-A
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Descrizione:
HJ-FET NCH 10DB S02
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Voltaggio nominale:
4 V
Pacco:
strisce
Serie:
-
Figura del rumore:
0.75dB
Confezione del dispositivo del fornitore:
S02
Tensione - prova:
2 V
Mfr:
CEL
Frequenza:
20GHz
Guadagno:
10 dB
Confezione / Cassa:
4-SMD, conduttori piatti
Corrente - prova:
10 mA
Potenza - Output:
-
Tecnologia:
GaAs HJ-FET
Corrente nominale (ampere):
70 mA
Introduzione
Mosfet RF 2 V 10 mA 20 GHz 10 dB S02
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: