UNR32A6G0L
![qualità [#varpname#] fabbrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 100 MW SSSMINI3
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
80 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
NPN - Pre-polarizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
150 megahertz
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SSSMini3-F2
Resistenza - Base (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Componenti elettronici Panasonic
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
100 Mw
Confezione / Cassa:
SOT-723
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
160 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
UNR32
Introduzione
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) NPN - Pre-biasato 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW SSSMini3-F2
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: