MRF8P29300HSR6
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Descrizione:
FET RF 2CH 65V 2,9 GHz NI1230S
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Voltaggio nominale:
65 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Configurazione:
Doppia
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
NI-1230S
Tensione - prova:
30 V
Mfr:
USA Inc.
Frequenza:
2.9GHZ
Guadagno:
13.3 dB
Confezione / Cassa:
NI-1230S
Corrente - prova:
100 MA
Potenza - Output:
320W
Tecnologia:
ldmos
Corrente nominale (ampere):
-
Numero del prodotto di base:
MRF8
Introduzione
RF Mosfet 30 V 100 mA 2,9 GHz 13,3 dB 320W NI-1230S
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: