PDTA143XQCZ
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Descrizione:
PDTA143XQC/SOT8009/DFN1412D-3
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 MA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
PNP - Pregiudicato
Frequenza - Transizione:
180 megahertz
Tipo di montaggio:
Supporto di superficie, fianco bagnabile
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
100mV @ 500μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN1412D-3
Resistenza - Base (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
10 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
100nA
Potenza - Max:
360 Mw
Confezione / Cassa:
3-XDFN Pad esposto
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
50 @ 10mA, 5V
Numero del prodotto di base:
PDTA143
Introduzione
Transistor bipolare pre-biased (BJT) PNP - Pre-biased 50 V 100 mA 180 MHz 360 mW Montatura superficiale, fianco bagnabile DFN1412D-3
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: