PTFA081501F V1
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Descrizione:
IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Interrotto da Digi-Key
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio nominale:
65 V
Pacco:
Scaffale
Serie:
GOLDMOS®
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
H-31248-2
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
Tecnologie Infineon
Frequenza:
900 MHz
Guadagno:
18dB
Confezione / Cassa:
2-Flatpack, Pin Leads
Corrente - prova:
950 mA
Potenza - Output:
150 W
Tecnologia:
ldmos
Corrente nominale (ampere):
10µA
Introduzione
Mosfet RF 28 V 950 mA 900 MHz 18 dB 150 W H-31248-2
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: