1012GN-800V
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Descrizione:
TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800W,
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio nominale:
150 V
Pacco:
Altri prodotti
Configurazione:
-
Serie:
V.
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
55-KR
Tensione - prova:
54 V
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Frequenza:
1.025 GHz ~ 1.15 GHz
Guadagno:
19.3 dB
Confezione / Cassa:
55-KR
Corrente - prova:
120 mA
Potenza - Output:
825W
Tecnologia:
-
Corrente nominale (ampere):
-
Introduzione
Mosfet RF 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825 W 55-KR
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: