DTD123TSTP
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Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 300 MW SPT
Categoria:
Dispositivi discreti a semiconduttore
In-azione:
In magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Metodo di spedizione:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
500 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
NPN - Pre-polarizzato
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Frequenza - Transizione:
200 MHz
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
40 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SPT
Resistenza - Base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Corrente - limite del collettore (massimo):
500 nA (ICBO)
Potenza - Max:
300 mW
Confezione / Cassa:
SC-72 Piombo in forma
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
100 @ 50mA, 5V
Numero del prodotto di base:
DTD123
Introduzione
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) NPN - Pre-biasato 40 V 500 mA 200 MHz 300 mW SPT attraverso foro
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: